casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / NXPSC04650Q
Número de pieza del fabricante | NXPSC04650Q |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NXPSC04650Q |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NXPSC04650Q Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 650V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 4A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 170µA @ 650V |
Capacitancia a Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC04650Q Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NXPSC04650Q-FT |
CD214B-B330LF
Bourns Inc.
CD214B-B340LF
Bourns Inc.
CD214B-B350LF
Bourns Inc.
CD214B-B360LF
Bourns Inc.
CD214B-F2100
Bourns Inc.
CD214B-F2150
Bourns Inc.
CD214B-F2200
Bourns Inc.
CD214B-F2400
Bourns Inc.
CD214B-F250
Bourns Inc.
CD214B-F2600
Bourns Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation