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ON Semiconductor NVMFSW6D1N08HT1G

Name: NVMFSW6D1N08HT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFSW6D1N08HT1G
Price: 0.595056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (368 reviews)

Número de pieza de MFG: NVMFSW6D1N08HT1G

Cantidad disponible: 64020 Piezas

Precio de referencia: USD 0.595056

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 T8 80V 1 PART PROLIFERATI

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NVMFSW6D1N08HT1G.pdf

NVMFSW6D1N08HT1G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	NVMFSW6D1N08HT1G
Número de parte futuro	FT-NVMFSW6D1N08HT1G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NVMFSW6D1N08HT1G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	17A (Ta), 89A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 120µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2085pF @ 40V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN, 5 Leads
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFSW6D1N08HT1G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NVMFSW6D1N08HT1G-FT

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