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ON Semiconductor NVMFS6H818NWFT1G

Número de pieza de MFG
NVMFS6H818NWFT1G
Cantidad disponible
91030 Piezas
Precio de referencia
USD 1.167288
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
Automotive, AEC-Q101 TRENCH 8 80V NFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante NVMFS6H818NWFT1G
Número de parte futuro FT-NVMFS6H818NWFT1G
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101
NVMFS6H818NWFT1G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20A (Ta), 123A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 190µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3100pF @ 40V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja 8-PowerTDFN, 5 Leads
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS6H818NWFT1G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NVMFS6H818NWFT1G-FT

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