casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVMFS5C673NLWFT1G
Número de pieza del fabricante | NVMFS5C673NLWFT1G |
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Número de parte futuro | FT-NVMFS5C673NLWFT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C673NLWFT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 35µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 880pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.6W (Ta), 46W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C673NLWFT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NVMFS5C673NLWFT1G-FT |
NVMFS5C410NT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NWFT1G
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NVMFS5C410NWFT3G
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NVMFS5C423NLAFT3G
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NVMFS5C423NLWFAFT3G
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NVMFS5C423NLWFT1G
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NVMFS5C423NLWFT3G
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NVMFS5C426NAFT3G
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XC3S200-4FTG256I
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XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel