casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVMFS5C646NLWFT3G
Número de pieza del fabricante | NVMFS5C646NLWFT3G |
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Número de parte futuro | FT-NVMFS5C646NLWFT3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C646NLWFT3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Ta), 93A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2164pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.7W (Ta), 79W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C646NLWFT3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NVMFS5C646NLWFT3G-FT |
NVMFS5C410NLAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NWFT1G
ON Semiconductor
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel