casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVMFS5C646NLAFT3G
Número de pieza del fabricante | NVMFS5C646NLAFT3G |
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Número de parte futuro | FT-NVMFS5C646NLAFT3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS5C646NLAFT3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Ta), 93A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2164pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.7W (Ta), 79W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C646NLAFT3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NVMFS5C646NLAFT3G-FT |
NVMFS5C404NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C406NT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C406NWFT1G
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NVMFS5C410NAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLAFT3G
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NVMFS5C410NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLWFT1G
ON Semiconductor
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation