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ON Semiconductor NVMFS5C612NLAFT1G

Name: NVMFS5C612NLAFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFS5C612NLAFT1G
Price: 1.051424 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (689 reviews)

Número de pieza de MFG: NVMFS5C612NLAFT1G

Cantidad disponible: 70040 Piezas

Precio de referencia: USD 1.051424

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NVMFS5C612NLAFT1G.pdf

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Número de pieza del fabricante	NVMFS5C612NLAFT1G
Número de parte futuro	FT-NVMFS5C612NLAFT1G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NVMFS5C612NLAFT1G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	38A (Ta), 250A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.36 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	6660pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.8W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN, 5 Leads
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS5C612NLAFT1G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NVMFS5C612NLAFT1G-FT

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