casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVMFS5C430NLT3G
Número de pieza del fabricante | NVMFS5C430NLT3G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NVMFS5C430NLT3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C430NLT3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4300pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C430NLT3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NVMFS5C430NLT3G-FT |
NTMFS4922NET1G
ON Semiconductor
NTMFS4923NET3G
ON Semiconductor
NTMFS4925NET1G
ON Semiconductor
NTMFS4926NET1G
ON Semiconductor
NTMFS4935NBT1G
ON Semiconductor
NTMFS4941NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4943NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4943NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4945NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4945NT3G
ON Semiconductor
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation