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ON Semiconductor NVMFS5C430NLAFT1G

Número de pieza de MFG
NVMFS5C430NLAFT1G
Cantidad disponible
41930 Piezas
Precio de referencia
USD 0.602448
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 40V 38A 200A 5DFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-NVMFS5C430NLAFT1G
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101
NVMFS5C430NLAFT1G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 38A (Ta), 200A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4300pF @ 20V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja 8-PowerTDFN, 5 Leads
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS5C430NLAFT1G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NVMFS5C430NLAFT1G-FT

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