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ON Semiconductor NVMFD5C650NLWFT1G
- Número de pieza de MFG
- NVMFD5C650NLWFT1G
- Cantidad disponible
- 35230 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.96108
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- ON Semiconductor
- Breve descripción
- Automotive, AEC-Q101 MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- NVMFD5C650NLWFT1G.pdf
NVMFD5C650NLWFT1G Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | NVMFD5C650NLWFT1G |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-NVMFD5C650NLWFT1G |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101 |
| NVMFD5C650NLWFT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Ta), 111A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 98µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2546pF @ 25V |
| Potencia - max | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NVMFD5C650NLWFT1G Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | NVMFD5C650NLWFT1G-FT |
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