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ON Semiconductor NVC6S5A354PLZT1G

Name: NVC6S5A354PLZT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVC6S5A354PLZT1G
Price: 0.210632 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (355 reviews)

Número de pieza de MFG: NVC6S5A354PLZT1G

Cantidad disponible: 99530 Piezas

Precio de referencia: USD 0.210632

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NVC6S5A354PLZT1G.pdf

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Número de pieza del fabricante	NVC6S5A354PLZT1G
Número de parte futuro	FT-NVC6S5A354PLZT1G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NVC6S5A354PLZT1G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	600pF @ 20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	6-CPH
Paquete / Caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVC6S5A354PLZT1G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NVC6S5A354PLZT1G-FT

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