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ON Semiconductor NVBLS0D7N04M8TXG

Name: NVBLS0D7N04M8TXG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVBLS0D7N04M8TXG
Price: 1.950704 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (130 reviews)

Número de pieza de MFG: NVBLS0D7N04M8TXG

Cantidad disponible: 61690 Piezas

Precio de referencia: USD 1.950704

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 NMOS TOLL 40V 1.2 MOHM

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NVBLS0D7N04M8TXG.pdf

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Número de pieza del fabricante	NVBLS0D7N04M8TXG
Número de parte futuro	FT-NVBLS0D7N04M8TXG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NVBLS0D7N04M8TXG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	240A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.75 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	188nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	12000pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	357W (Tj)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HPSOF
Paquete / Caja	8-PowerSFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVBLS0D7N04M8TXG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NVBLS0D7N04M8TXG-FT

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