casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NV25010DWHFT3G
Número de pieza del fabricante | NV25010DWHFT3G |
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Número de parte futuro | FT-NV25010DWHFT3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
NV25010DWHFT3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | - |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 4ms |
Tiempo de acceso | 40ns |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NV25010DWHFT3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NV25010DWHFT3G-FT |
MTFC128GAOANAM-WT TR
Micron Technology Inc.
MTFC128GAPALNS-AAT
Micron Technology Inc.
MTFC128GAPALNS-AAT TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GAKAEDQ-AAT
Micron Technology Inc.
MTFC16GAKAEEF-AAT
Micron Technology Inc.
MTFC16GAKAEEF-AAT TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GAKAEEF-O1 AIT
Micron Technology Inc.
MTFC16GAKAEEF-O1 AIT TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GAKAEJP-AIT
Micron Technology Inc.
MTFC16GAKAEJP-AIT TR
Micron Technology Inc.