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ON Semiconductor NTR3A30PZT1G

Name: NTR3A30PZT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTR3A30PZT1G
Price: 0.195 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (377 reviews)

Número de pieza de MFG: NTR3A30PZT1G

Cantidad disponible: 87600 Piezas

Precio de referencia: USD 0.195

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NTR3A30PZT1G.pdf

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NTR3A30PZT1G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	NTR3A30PZT1G
Número de parte futuro	FT-NTR3A30PZT1G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTR3A30PZT1G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1651pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	480mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTR3A30PZT1G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NTR3A30PZT1G-FT

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