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ON Semiconductor NTMSD3P303R2G

Name: NTMSD3P303R2G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMSD3P303R2G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (681 reviews)

Número de pieza de MFG: NTMSD3P303R2G

Cantidad disponible: 15110 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: FETKY™ MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NTMSD3P303R2G.pdf

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Número de pieza del fabricante	NTMSD3P303R2G
Número de parte futuro	FT-NTMSD3P303R2G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	FETKY™
NTMSD3P303R2G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.34A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	750pF @ 24V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)	730mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMSD3P303R2G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NTMSD3P303R2G-FT

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