casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMSD3P102R2G
Número de pieza del fabricante | NTMSD3P102R2G |
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Número de parte futuro | FT-NTMSD3P102R2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FETKY™ |
NTMSD3P102R2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.34A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 750pF @ 16V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 730mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMSD3P102R2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTMSD3P102R2G-FT |
NTB6411ANT4G
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NTB6412ANG
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