casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMS7N03R2
Número de pieza del fabricante | NTMS7N03R2 |
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Número de parte futuro | FT-NTMS7N03R2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMS7N03R2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1190pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 800mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMS7N03R2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTMS7N03R2-FT |
NTB60N06L
ON Semiconductor
NTB60N06LG
ON Semiconductor
NTB60N06LT4
ON Semiconductor
NTB60N06LT4G
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NTB6410ANG
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A3PE600-2FGG484I
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M1A3P600-2PQ208
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