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ON Semiconductor NTMS4917NR2G

Número de pieza de MFG
NTMS4917NR2G
Cantidad disponible
61170 Piezas
Precio de referencia
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NTMS4917NR2G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 15.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1054pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 880mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMS4917NR2G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NTMS4917NR2G-FT

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