casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMKE4892NT1G
Número de pieza del fabricante | NTMKE4892NT1G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NTMKE4892NT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMKE4892NT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 26A (Ta), 148A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4270pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9) |
Paquete / Caja | 5-ICEPAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMKE4892NT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTMKE4892NT1G-FT |
N0302P-T1-AT
Renesas Electronics America
N0413N-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America
N0601N-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America
NDF04N60ZG-001
ON Semiconductor
NDF06N60ZG-001
ON Semiconductor
NDF10N60ZG-001
ON Semiconductor
NDH832P
ON Semiconductor
NDH8436
ON Semiconductor
NDH8447
ON Semiconductor
NDS355AN-F169
ON Semiconductor
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel