casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMFS5C612NLWFT1G
Número de pieza del fabricante | NTMFS5C612NLWFT1G |
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Número de parte futuro | FT-NTMFS5C612NLWFT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS5C612NLWFT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 235A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6660pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.8W (Ta), 167W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS5C612NLWFT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTMFS5C612NLWFT1G-FT |
DMTH3004LFGQ-7
Diodes Incorporated
DMP2070UCB6-7
Diodes Incorporated
DMN95H2D2HCTI
Diodes Incorporated
NTTFS5CS70NLTAG
ON Semiconductor
DMN2025UFDF-7
Diodes Incorporated
NTMFS4C06NAT1G
ON Semiconductor
DMN2025UFDF-13
Diodes Incorporated
DMP3007SCG-7
Diodes Incorporated
DMTH6016LK3-13
Diodes Incorporated
EPC2052
EPC
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel