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ON Semiconductor NTMFS4C10NT1G-001

Name: NTMFS4C10NT1G-001
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMFS4C10NT1G-001
Availability: InStock
Rating: 4.5 (417 reviews)

Número de pieza de MFG: NTMFS4C10NT1G-001

Cantidad disponible: 46430 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NTMFS4C10NT1G-001.pdf

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Número de pieza del fabricante	NTMFS4C10NT1G-001
Número de parte futuro	FT-NTMFS4C10NT1G-001
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTMFS4C10NT1G-001 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8.2A (Ta), 46A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.95 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	18.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	987pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4C10NT1G-001 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NTMFS4C10NT1G-001-FT

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