casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMFS4C027NT1G
Número de pieza del fabricante | NTMFS4C027NT1G |
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Número de parte futuro | FT-NTMFS4C027NT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS4C027NT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16.4A (Ta), 52A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1670pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4C027NT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTMFS4C027NT1G-FT |
IPA60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R210CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R210CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPL60R060CFD7AUMA1
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IPL60R095CFD7AUMA1
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IPL60R115CFD7AUMA1
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IPL60R140CFD7AUMA1
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IPL60R160CFD7AUMA1
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IPP60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
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M1AFS600-2FG256I
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5SGXMA7N2F40I3N
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel