casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMFS4851NT3G

            | Número de pieza del fabricante | NTMFS4851NT3G | 
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-NTMFS4851NT3G | 
| SPQ / MOQ | Contáctenos | 
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others | 
| serie | - | 
| NTMFS4851NT3G Estado (ciclo de vida) | En stock | 
| Estado de la pieza | Obsolete | 
| Tipo FET | N-Channel | 
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V | 
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.5A (Ta), 66A (Tc) | 
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 11.5V | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 30A, 10V | 
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | 
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 
| Vgs (Max) | ±16V | 
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1850pF @ 12V | 
| Característica FET | - | 
| Disipación de potencia (max) | 870mW (Ta), 41.7W (Tc) | 
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo de montaje | Surface Mount | 
| Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN | 
| NTMFS4851NT3G Peso | Contáctenos | 
| Número de pieza de repuesto | NTMFS4851NT3G-FT | 

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