casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / NTLGD3502NT1G
Número de pieza del fabricante | NTLGD3502NT1G |
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Número de parte futuro | FT-NTLGD3502NT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTLGD3502NT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.3A, 3.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 480pF @ 10V |
Potencia - max | 1.74W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-VDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DFN (3x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTLGD3502NT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTLGD3502NT1G-FT |
EMH2314-TL-H
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