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ON Semiconductor NTHD4N02FT1G

Name: NTHD4N02FT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTHD4N02FT1G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (182 reviews)

Número de pieza de MFG: NTHD4N02FT1G

Cantidad disponible: 71380 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NTHD4N02FT1G.pdf

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Número de pieza del fabricante	NTHD4N02FT1G
Número de parte futuro	FT-NTHD4N02FT1G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTHD4N02FT1G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.9A (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	300pF @ 10V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)	910mW (Tj)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	ChipFET™
Paquete / Caja	8-SMD, Flat Lead
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTHD4N02FT1G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NTHD4N02FT1G-FT

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