casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / NTGD4167CT1G
Número de pieza del fabricante | NTGD4167CT1G |
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Número de parte futuro | FT-NTGD4167CT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTGD4167CT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.6A, 1.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 295pF @ 15V |
Potencia - max | 900mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTGD4167CT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTGD4167CT1G-FT |
NVMFD5C466NLWFT1G
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NVMFD5877NLT1G
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NTMFD5C680NLT1G
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XCKU035-2FBVA900I
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XC3S400-4FG456C
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5SGSMD6N3F45C2N
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XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG225I
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256I
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5AGXMB7G4F35C5N
Intel