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ON Semiconductor NTD12N10-1G

Name: NTD12N10-1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTD12N10-1G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (243 reviews)

Número de pieza de MFG: NTD12N10-1G

Cantidad disponible: 81230 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NTD12N10-1G.pdf

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NTD12N10-1G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	NTD12N10-1G
Número de parte futuro	FT-NTD12N10-1G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTD12N10-1G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	550pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	I-PAK
Paquete / Caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTD12N10-1G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NTD12N10-1G-FT

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