casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / NSVMUN5336DW1T1G
Número de pieza del fabricante | NSVMUN5336DW1T1G |
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Número de parte futuro | FT-NSVMUN5336DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVMUN5336DW1T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 100 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 187mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5336DW1T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSVMUN5336DW1T1G-FT |
NSBC123JPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC144EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124EDXV6T1G
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NSBA114YDXV6T1G
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NSVBC114YPDXV6T1G
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NSVBC144EPDXV6T1G
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NSBA123JDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA124XDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
XC7A35T-2FGG484C
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LIF-MD6000-6KMG80I
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EP20K600EFC672-3
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10M50DCF256I6G
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5SGSMD4K2F40I2L
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5SGXMA5N2F45I3N
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XC2V8000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ARC240-1N
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EP2OK60EQI208-2X
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