casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / NSVMUN5316DW1T1G
Número de pieza del fabricante | NSVMUN5316DW1T1G |
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Número de parte futuro | FT-NSVMUN5316DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVMUN5316DW1T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 250mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5316DW1T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSVMUN5316DW1T1G-FT |
NSVBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA123JDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA124XDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
XC7A50T-1FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FGG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
M2GL005-VFG400
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A42MX16-3VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F43C4N
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LCMXO2-4000ZE-3FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35C5N
Intel
EP20K100EFI324-2X
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EPF10K50VRC240-4N
Intel