casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / NSVDTC123JM3T5G
Número de pieza del fabricante | NSVDTC123JM3T5G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NSVDTC123JM3T5G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVDTC123JM3T5G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 260mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-723 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-723 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVDTC123JM3T5G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSVDTC123JM3T5G-FT |
PDTA144VT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA144WT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB113ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB114ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTB123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB143ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTB143XTVL
Nexperia USA Inc.
PDTC114ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC114ET,235
Nexperia USA Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-5Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
U1AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-9FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4AI
Microchip Technology
5SGXEA7N3F40I4N
Intel
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC5VLX330-1FF1760C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6M132C
Lattice Semiconductor Corporation