casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / NSVB114YPDXV6T1G
Número de pieza del fabricante | NSVB114YPDXV6T1G |
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Número de parte futuro | FT-NSVB114YPDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVB114YPDXV6T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 500mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-563 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVB114YPDXV6T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSVB114YPDXV6T1G-FT |
NSBC144EPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVB143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
EMD5DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T5G
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EMD4DXV6T5G
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EMD4DXV6T1G
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NSBC115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA144WDXV6T1G
ON Semiconductor
XC2S100-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3P1000-1PQ208
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ICE5LP2K-SWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX110CF23I7N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
AGL060V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFXP10C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40E3SG
Intel
10AX032E2F27I1SG
Intel