casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / NSS35200MR6T1G
Número de pieza del fabricante | NSS35200MR6T1G |
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Número de parte futuro | FT-NSS35200MR6T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS35200MR6T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 2A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 35V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 310mV @ 20mA, 2A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1.5A, 1.5V |
Potencia - max | 625mW |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS35200MR6T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSS35200MR6T1G-FT |
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