casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / NSS20101JT1G
Número de pieza del fabricante | NSS20101JT1G |
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Número de parte futuro | FT-NSS20101JT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS20101JT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 20V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 1A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Potencia - max | 300mW |
Frecuencia - Transición | 350MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-89, SOT-490 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-89-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS20101JT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSS20101JT1G-FT |
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Xilinx Inc.
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