casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / NSBC113EPDXV6T1
Número de pieza del fabricante | NSBC113EPDXV6T1 |
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Número de parte futuro | FT-NSBC113EPDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBC113EPDXV6T1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 1 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 500mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-563 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC113EPDXV6T1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSBC113EPDXV6T1-FT |
NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA115TDP6T5G
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A54SX16A-2FGG144I
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10M02SCU324C8G
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