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Número de pieza del fabricante | NRVUB1620CTRT4G |
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Número de parte futuro | FT-NRVUB1620CTRT4G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NRVUB1620CTRT4G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 85ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVUB1620CTRT4G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NRVUB1620CTRT4G-FT |
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21AVD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6433HTMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel