casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / NRVBM120LT3G
Número de pieza del fabricante | NRVBM120LT3G |
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Número de parte futuro | FT-NRVBM120LT3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWERMITE® |
NRVBM120LT3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 650mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 10V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-216AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | Powermite |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBM120LT3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NRVBM120LT3G-FT |
MBRM140T3G
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MBRM120LT1G
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5SGXMB6R1F40C2LN
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XC5VLX110-1FFG1760C
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XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
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5CEFA7U19C8N
Intel