casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / NRVBM120ET1G
Número de pieza del fabricante | NRVBM120ET1G |
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Número de parte futuro | FT-NRVBM120ET1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWERMITE® |
NRVBM120ET1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 595mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 5V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-216AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | Powermite |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBM120ET1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NRVBM120ET1G-FT |
MA2J11200L
Panasonic Electronic Components
MA2J1120GL
Panasonic Electronic Components
MA2J11300L
Panasonic Electronic Components
MA2J1130GL
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MA2J11400L
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A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel