casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / NRVB120ESFT1G
Número de pieza del fabricante | NRVB120ESFT1G |
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Número de parte futuro | FT-NRVB120ESFT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NRVB120ESFT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 530mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVB120ESFT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NRVB120ESFT1G-FT |
NSVR0170P2T5G
ON Semiconductor
NSR01L30P2T5G
ON Semiconductor
NSVR0340P2T5G
ON Semiconductor
NSVR0530P2T5G
ON Semiconductor
NSVR0620P2T5G
ON Semiconductor
NSVR0240P2T5G
ON Semiconductor
NSR0530P2T5G
ON Semiconductor
NSR0140P2T5G
ON Semiconductor
NSR0620P2T5G
ON Semiconductor
NSR0130P2T5G
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel