casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / NRS6012T2R5NMGG
Número de pieza del fabricante | NRS6012T2R5NMGG |
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Número de parte futuro | FT-NRS6012T2R5NMGG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NR, S Type |
NRS6012T2R5NMGG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 2.5µH |
Tolerancia | ±30% |
Valoración actual | 1.8A |
Corriente - Saturación | 2.1A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 108 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 45MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS6012T2R5NMGG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NRS6012T2R5NMGG-FT |
NRS5030T470MMGJV
Taiyo Yuden
NRS5020T100MMGJV
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LFE2-6SE-5TN144C
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XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel