casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / NRS6012T101MMGJV
Número de pieza del fabricante | NRS6012T101MMGJV |
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Número de parte futuro | FT-NRS6012T101MMGJV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NR, S Type |
NRS6012T101MMGJV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 100µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 320mA |
Corriente - Saturación | 350mA |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 2.004 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 1MHz |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS6012T101MMGJV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NRS6012T101MMGJV-FT |
NRS5020T4R7MMGJV
Taiyo Yuden
NRS5030TR47NMGJ
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LCMXO2-2000ZE-3TG100I
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XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
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AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel