casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / NRS2012T3R3MGJ
Número de pieza del fabricante | NRS2012T3R3MGJ |
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Número de parte futuro | FT-NRS2012T3R3MGJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NR, S Type |
NRS2012T3R3MGJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 3.3µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.02A |
Corriente - Saturación | 1A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 190 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 120°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS2012T3R3MGJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NRS2012T3R3MGJ-FT |
NR6020T1R5N
Taiyo Yuden
NR6020T6R8N
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NR6012T680ME
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EP1C6T144C7N
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XA6SLX75-3FGG484Q
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XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
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EP2AGX125EF35C6
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EP2AGZ350FF35I3N
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