casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / NRH3012T6R8MN
Número de pieza del fabricante | NRH3012T6R8MN |
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Número de parte futuro | FT-NRH3012T6R8MN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NR, H Type |
NRH3012T6R8MN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 6.8µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 890mA |
Corriente - Saturación | 850mA |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 228 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 43MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 120°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRH3012T6R8MN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NRH3012T6R8MN-FT |
NRS5024T220MMGJV
Taiyo Yuden
NRS6020T0R8NMGG
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NRS6014T2R2NMGG
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel