casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / NR3012T4R7M
Número de pieza del fabricante | NR3012T4R7M |
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Número de parte futuro | FT-NR3012T4R7M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NR |
NR3012T4R7M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 4.7µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 980mA |
Corriente - Saturación | 770mA |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 156 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 48MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 120°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3012T4R7M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NR3012T4R7M-FT |
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XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel