casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / NR3010T1R5N
Número de pieza del fabricante | NR3010T1R5N |
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Número de parte futuro | FT-NR3010T1R5N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NR |
NR3010T1R5N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1.5µH |
Tolerancia | ±30% |
Valoración actual | 1.3A |
Corriente - Saturación | 1.2A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 96 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 98MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 120°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3010T1R5N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NR3010T1R5N-FT |
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XCS20XL-4TQG144C
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LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176C
Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
Intel
EP4CGX15BF14C7
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC240-1
Intel