casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NP60N055VUK-E1-AY
Número de pieza del fabricante | NP60N055VUK-E1-AY |
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Número de parte futuro | FT-NP60N055VUK-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP60N055VUK-E1-AY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 253µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3750pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.2W (Ta), 105W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP60N055VUK-E1-AY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NP60N055VUK-E1-AY-FT |
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IRLR7821TRPBF
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XCV200-5FG256I
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EP1M350F780C6
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LFXP2-40E-6FN484I
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