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Renesas Electronics America NP23N06YDG-E1-AY

Número de pieza de MFG
NP23N06YDG-E1-AY
Cantidad disponible
12980 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
Renesas Electronics America
Breve descripción
- MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-NP23N06YDG-E1-AY
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NP23N06YDG-E1-AY Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 23A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1800pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSON
Paquete / Caja 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP23N06YDG-E1-AY Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NP23N06YDG-E1-AY-FT

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