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Renesas Electronics America NP109N055PUJ-E1B-AY

Name: NP109N055PUJ-E1B-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP109N055PUJ-E1B-AY
Availability: InStock
Rating: 4.6 (19 reviews)

Número de pieza de MFG: NP109N055PUJ-E1B-AY

Cantidad disponible: 42660 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: Renesas Electronics America

Breve descripción: - MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NP109N055PUJ-E1B-AY.pdf

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Número de pieza del fabricante	NP109N055PUJ-E1B-AY
Número de parte futuro	FT-NP109N055PUJ-E1B-AY
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NP109N055PUJ-E1B-AY Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	110A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	10350pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.8W (Ta), 220W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP109N055PUJ-E1B-AY Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NP109N055PUJ-E1B-AY-FT

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