casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NP100P06PLG-E1-AY
Número de pieza del fabricante | NP100P06PLG-E1-AY |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NP100P06PLG-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP100P06PLG-E1-AY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 15000pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP100P06PLG-E1-AY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NP100P06PLG-E1-AY-FT |
IRL3713SPBF
Infineon Technologies
IRL3713STRLPBF
Infineon Technologies
IRL3713STRRPBF
Infineon Technologies
IRL3714S
Infineon Technologies
IRL3714SPBF
Infineon Technologies
IRL3714STR
Infineon Technologies
IRL3714STRL
Infineon Technologies
IRL3714STRLPBF
Infineon Technologies
IRL3714STRR
Infineon Technologies
IRL3714STRRPBF
Infineon Technologies
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel