casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / NP06DB3R3M
Número de pieza del fabricante | NP06DB3R3M |
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Número de parte futuro | FT-NP06DB3R3M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | N, P Type |
NP06DB3R3M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 3.3µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 3.6A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.126" (3.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP06DB3R3M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NP06DB3R3M-FT |
N08DPA820K
Taiyo Yuden
N08DPA821K
Taiyo Yuden
N08DPB100K
Taiyo Yuden
N08DPB101K
Taiyo Yuden
N08DPB102J
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N08DPB120K
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N08DPB121K
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N08DPB150K
Taiyo Yuden
N08DPB151K
Taiyo Yuden
N08DPB180K
Taiyo Yuden
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel