casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / NP06DB221M
Número de pieza del fabricante | NP06DB221M |
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Número de parte futuro | FT-NP06DB221M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | N, P Type |
NP06DB221M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 220µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 400mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.4 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 5.2MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.126" (3.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP06DB221M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NP06DB221M-FT |
N08DPA561K
Taiyo Yuden
N08DPA680K
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N08DPB120K
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel